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      麥瑞特電纜材料(昆山)有限公司

      麥瑞特線纜材料(昆山)有限公司

      主營:電纜繞包材料 ● 電纜填充材料

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      軸裝熱熔PI膜

      所屬分類: 阻燃繞包材料

      產品簡介:1. ?核心定義??軸裝熱熔PI膜?是一種通過?軸裝多軸纏繞工藝?與?熱熔粘接技術?結合制備的聚酰亞胺基復合薄膜。其核心在于利用聚酰亞胺(PI)材料自身或其改性后的熱熔特性,在精密控制的溫度、壓力及多軸纏繞路徑下,實現多層膜結構的高強度、高精度復合。 ?技術特征?:?熱熔粘接?:通過加熱熔融PI膜表面或中間層

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      產品說明

      17 軸裝熱熔PI膜.png

      1. ?核心定義?

      ?軸裝熱熔PI膜?是一種通過?軸裝多軸纏繞工藝??熱熔粘接技術?結合制備的聚酰亞胺基復合薄膜。其核心在于利用聚酰亞胺(PI)材料自身或其改性后的熱熔特性,在精密控制的溫度、壓力及多軸纏繞路徑下,實現多層膜結構的高強度、高精度復合。

      ?技術特征?

      ??熱熔粘接?:通過加熱熔融PI膜表面或中間層(改性熱熔膠),實現無溶劑界面鍵合。

      ?軸裝結構?:垂直排列的多軸系統(主基膜軸+輔料軸),結合螺旋/環向交替纏繞,形成各向異性優化的復合膜。

      ??性能優勢?:超?。芍?μm)、高耐溫(-269~400℃)、層間無氣泡(孔隙率<0.01%)。

      2. ?工藝原理與設備?

      (1)?工藝步驟?

      1.?基膜預處理?

      o?表面改性?:等離子體處理(功率600W,Ar/O?混合氣體),提升PI膜表面能至≥55mN/m。

      o涂覆熱熔層?:單面涂覆改性PI熱熔膠(如硅氧烷接枝PI,熔點280-320℃)。

      2.軸裝纏繞?

      o多軸同步控制?:主基膜軸(PI膜)與輔料軸(金屬箔/纖維增強層)以速度誤差<0.05%同步放卷。

      o纏繞路徑?

      ?螺旋纏繞?(±30°~45°):提升抗剪切強度;

      ?環向纏繞?(90°):增強徑向力學性能。

      3.熱熔復合?

      o分段加熱?:底層300℃熔融PI粘接增強層,頂層200℃定型防護層;

      o梯度加壓?:壓力0.5-5MPa(真空輔助,≤10?2 Pa),消除界面缺陷。

      4.冷卻定型?

      o梯度降溫(5℃/min),避免內應力導致翹曲(翹曲度<0.02mm/m)。

      (2)?關鍵設備?

      ??軸裝纏繞機?

      o垂直多軸系統(軸數≥4,軸間距≤50mm);

      o磁懸浮張力控制(精度±0.03N)。

      ??熱熔模塊?

      o分段式石墨烯加熱板(控溫精度±2℃);

      o真空熱壓腔體(壓力范圍10?3~10? Pa)。

      ??在線檢測系統?

      o激光測厚儀(精度±0.1μm);

      o高分辨率AOI(識別≥2μm異物)。

      3. ?性能對比?

      性能指標

      傳統熱壓PI膜

      軸裝熱熔PI膜

      ?層間結合強度?

      3-5   N/mm(依賴膠粘劑)

      8-15   N/mm(熱熔直接鍵合)

      ?厚度一致性?

      ±3μm(總厚50μm)

      ±0.5μm(真空熱壓+張力補償)

      ?耐溫性?

      長期260℃(膠粘劑限制)

      長期400℃(自熔PI或耐高溫膠層)

      ?生產效率?

      2-5   m/min(間歇固化)

      10-20   m/min(連續熱熔)

      4. ?核心應用場景?

      (1)?深空探測柔性太陽帆?

      ??復合結構?:軸裝熱熔PI/鋁箔/碳纖維(總厚≤20μm,面密度≤15g/m2)。

      ??性能指標?

      o耐質子輻照(101? protons/cm2);

      o折疊展開壽命>10?次(曲率半徑0.1mm)。

      (2)?高密度柔性電路基板?

      ??超細線路封裝?

      oPI膜熱熔復合銅箔(銅厚3μm,線寬/間距10μm/10μm);

      o動態彎折壽命>50萬次(R=0.5mm),阻抗波動<3%。

      (3)?固態電池復合封裝?

      ??鋰金屬負極包覆?

      o軸裝熱熔PI/固態電解質層(LiPON,厚度≤5μm);

      o離子電導率>1×10?? S/cm,耐鋰枝晶穿刺(>1GPa)。

      (4)?核聚變裝置絕緣層?

      ??超導磁體絕緣?

      o多層PI膜真空熱熔復合(厚度100μm);

      o耐-269℃低溫與20T磁場,介電強度>200kV/mm。

      5. ?技術挑戰與創新方案?

      挑戰點

      解決方案

      驗證指標

      ?熱熔溫度-粘度控制?

      開發低熔融粘度PI(引入柔性鏈段)

      熔融粘度<300Pa·s(300℃)

      ?多層纏繞錯位累積?

      機器視覺實時糾偏(響應時間≤0.5ms)

      累積偏移量<3μm/100m

      ?高溫界面氧化?

      真空/惰性氣體保護熱熔(O?濃度≤10ppm)

      表面氧含量<0.1at%

      ?異質材料熱膨脹失配?

      梯度熱膨脹系數設計(CTE差<1ppm/℃)

      熱循環后分層率<0.01%

      6. ?前沿研究方向?

      ??4D智能熱熔PI膜?

      o形狀記憶PI+光熱響應層,實現太陽光觸發自展開(形變率>200%)。

      ??納米復合增強?

      oPI膜內原位生長碳納米管(垂直陣列),面內導熱>120W/m·K。

      ??AI全流程優化?

      o數字孿生模擬熱熔應力場,實時調控工藝參數(良率>99.5%)。

      ??綠色回收技術?

      o超臨界CO?解聚PI膜(回收率>95%),閉環再生產。


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